我国半导体设备破局者新凯来:逆袭背面的暗码
时间: 2025-06-22 14:23:36 | 作者: leyucom乐鱼体育
当ASML还在为EUV光刻机全球禁运自鸣得意时,一家建立仅3年的我国企业正以名山战略重塑半导体设备地图。2025年SEMICON China展会现场,新凯来用31款全流程设备构筑的我国山脉,让世界巨子初次感受到来自东方的技能寒潮。
从外延堆积(峨眉山EPI)到原子层堆积(阿里山ALD),新凯来五大中心设备添补国产空白,其间12英寸深邃宽比金属栅极ALD设备打破5nm制程要害技能。 武夷山系列刻蚀设备是选用电容耦合等离子体技能,刻蚀均匀性达98.7%,较世界竞品提高3个百分点,已进入国内尖端晶圆厂验证。 自主研制的岳麓山BFI明场缺点查验测验设备,检测精度打破0.1μm,价格仅为科磊同类型设备的60%。
深圳国资委15亿重注经过深芯恒科技100%控股,保证要害研制不受本钱动摇影响。 华为2012实验室输血中心团队源自星光工程,三年累计导入327项半导体设备专利。 联合新莱应材、英诺激光等本乡企业,完成超高洁净管路体系、LSP光源等中心部件100%国产代替。
普陀山PVD设备报价较使用资料同类型产品低40%,推进28nm产线设备出资收回周期缩短至18个月。 与中芯世界、长鑫存储签定联合调试协议,设备出厂直通产线验证,将导入周期紧缩至3个月。 2024年12月被列入美国实体清单后,反向收买日企半导体设备专利池,构建起4523项全球专利护城河。
替代ASML还有多远? 虽然新凯来在刻蚀、堆积范畴已构成部分优势,但EUV光刻机仍是难以逾越的顶峰。其官网显现,2026年将发动珠峰方案攻关13.5nm极紫外光源,而ASML新一代High-NA EUV设备已完成8nm线宽。某晶圆厂首席技能官坦言:新凯来设备现在集中于老练制程,7nm以下节点仍需进口设备协同。
这不是弯道超车,而是全产业链的换轨比赛。某头部基金半导体分析师指出,新凯来已带动合肥、雄安建成日产3颗卫星的智能产线;设备-制作-使用的闭环生态,正是我国半导体包围的中心竞争力。当ASML还在纠结光刻机交给条款时,新凯来已用名山矩阵在设备范畴扯开缺口——归于我国半导体的造山运动,才刚刚开端。
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