上海邦芯请求可降温的ICP刻蚀设备专利可以对等离子体生成部充沛且快速地散热

时间: 2025-01-08 20:59:57 |   作者: 产品中心

  金融界2024年12月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海邦芯半导体科技有限公司请求一项名为“可降温的ICP刻蚀设备”的专利，揭露号 CN 119132919 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本请求揭露可降温的ICP刻蚀设备，所述可降温的ICP刻蚀设备具有了冷却空间和至少一与所述冷却空间连通的出气孔，所述可降温的ICP刻蚀设备包含刻蚀主体、线圈、匹配器、屏蔽罩和电扇，所述刻蚀主体包含等离子体生成部和刻蚀操作部，所述等离子体生成部与所述刻蚀操作部一起构成加工空间，所述等离子体生成部的截面尺度由上至下逐步增大，由所述电扇吹入所述冷却空间的冷却风吹向所述等离子体生成部以带走所述加工空间内的热量并冷却所述线圈，吹向所述等离子体生成部的冷却风活动于所述等离子体生成部的外外表并终究由所述出气孔导出。本发明可以对等离子体生成部充沛且快速地散热，为刻蚀操作供给安稳的加工环境，使工艺质量得到确保。