中微公司MOCVD设备专利获银奖技术创新引领半导体行业新趋势

时间: 2025-04-06 08:17:22 |   作者: 产品中心

  在当今科学技术创新的浪潮中，中微半导体设备（上海）股份有限公司及其子公司南昌中微半导体设备有限公司再次倍受瞩目。近日，他们共同拥有的发明专利“化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号：ZL7.1）在第二十五届中国专利奖评选中荣获银奖，这一成就不仅是对中微公司技术创造新兴事物的能力的深刻肯定，更是其在半导体领域持续努力的生动写照。

  中国专利奖被誉为我国专利领域的最高荣誉，每年评选出在技术创新和经济社会持续健康发展中作出突出贡献的专利。中微公司此次获奖不仅增强了其在业内的声望，也为其未来的研发工作注入了更多信心。截止目前，中微公司已累计获得2项金奖、1项银奖及3项优秀奖，显示了其在研发和知识产权塑造方面的优越性。

  本次获奖的专利涉及MOCVD设备的核心技术，这种设备是宽禁带半导体微观器件制造的重要工具。MOCVD，即金属有机化学气相沉积技术，大范围的应用于LED芯片、功率器件及第三代半导体器件的制造。中微公司的MOCVD设备在全球市场中占有率已超越70%，不仅技术领先，而且在性能、质量上也得到了广泛认可。这一成就使其成为全世界氮化镓基LED生产的主要设备供应商。

  中微公司的创新专利设计从反应腔内流体动力学的角度切入，提出了一种具有独特排气和沉积物收集机制的新型化学气相沉积装置。该技术有效解决了MOCVD设备在经常使用中遇到的排气不均匀、工艺良率低、维护困难和效率不高等问题。这项突破不仅提高了生产的全部过程的效率，还为客户提供了更为可靠和高效的生产解决方案。

  中微公司董事长兼总经理尹志尧博士表示：“这次获奖充分展示了我们在研发创新与知识产权管理方面的领头羊。创新是中微公司持续发展的核心动力，我们将继续加大研发投入，不断突破技术瓶颈，为全球客户提供更具创新性和卓越品质的产品和服务。”

  近年来，中微公司还在多种领域加大研发力度，推动包括CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀设备等多种半导体加工设施的开发，涵盖从65纳米到5纳米及更先进工艺的广泛应用。这些设备是制造各种微观器件的关键，正推动着现代数码产业的进步。此外，中微公司在光学和电子束测量设备领域的布局，也在逐步扩展其技术视野和市场应用。

  在美国TechInsights（原VLSIResearch）的全球半导体设备客户满意程度调查中，中微公司多次位列前茅，其薄膜设备更是屡次获得第一。这充分显示了中微公司的市场竞争力及其在技术创新上的努力。通过对技术不停地改进革新的追求，中微正引领着整个半导体行业的发展，推动LED照明与显示产业的快速进程，同时也为国家的节能减排和降低能耗作出了重要贡献。

  展望未来，中微公司将继续秉持“技术驱动、创新引领”的发展理念，坚持推进技术创新与市场需求的深层次地融合，以更高的标准满足全球客户的需求。通过不懈努力，中微将为实现更高效、更环保的半导体制造贡献更大力量，也期待在下一次技术创新中再创辉煌。

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