重庆芯联请求改进刻蚀均匀度的刻蚀设备及办法专利进步等离子体散布均匀性改进度

时间: 2025-07-29 12:15:39 |   作者: 产品中心

  金融界2025年4月7日音讯，国家知识产权局信息数据显现，重庆芯联微电子有限公司请求一项名为“改进刻蚀均匀度的刻蚀设备及刻蚀办法”的专利，公开号 CN 119764153 A，请求日期为2024年12月。

  专利摘要显现，本发明供给一种改进刻蚀均匀度的刻蚀设备及刻蚀办法，经过将聚集环的顶面设置为低于晶圆承载台上所承载的晶圆的顶面，可露出晶圆斜面的下侧，完成深度离子穿透，可添加晶圆边际部分的离子流速度，添加晶圆边际部分的蚀刻速率，进步等离子体散布均匀性，改进刻蚀均匀度。进一步的，经过优化聚集环台阶的描摹，使得聚集环台阶具有圆弧化角落，可进一步的进步等离子体反弹作用，以对晶圆边际进行相对有用刻蚀。

  天眼查资料显现，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，坐落重庆市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱870000万人民币，实缴本钱522000万人民币。经过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参加招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还具有行政许可11个。

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